SJ 50033.59-1995 半导体分立器件3DK39型功率开关晶体管详细规范
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ID： |
343FB32741E34C168D7D5E2F421D1E00 |
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文件大小(MB)： |
0.45 |
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页数： |
10 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-27 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/59-1995,半导体分立器件,3DK39型功率开关晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type,3DK39 power switching transistor,1995.05.25 发布 !995-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DK39型功率开关晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 3DK39,Ppwer switching transistor,SJ 50033/59-1995,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 3DK39型功率开关晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33（半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,号军三级,分别用字母GP.GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587-84 双极型晶体管测试方法,GB 7581 - 87 半导体分立器件外形尺寸,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86 半导体分立器件试脸方法,3要求,3.1 详畑要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐。引出端表面应为锡层或镶层,中华人民共和国电子工业部!995 05-25发布 1995-1291实施,SJ 50033/59-1995,3.2.2 器件的结构,采用外延台面结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GJB 758t的C3-02D型及如下的规定。见图1P,mm,外形图,消C3-02D,min max,A (12) 20,旭(15),衲M,栢3L24,龍23.0,￡ 27,0,F 2.5 6.5,J 23.0 44.45,眼
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